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高压H桥PMW马达驱动应用FHP640A型号,取代IRF640参数的场效应管!

文章编辑:飞虹电子 浏览量:332 类型:行业资讯 日期:2021-02-03 10:14:30 分享:
    中国的电子产业链发展迅速,国内半导体元器件也已经越来越越缺货到不可思议的地步了,多因素驱动导致场效应管需求快速扩张。场效应管作为高压H桥pmw马达驱动产品的重要元器件,仅靠市面上常用的IRF640也不足以支撑使用。

    这个时候就会比较多电子工程师想要找一款能够代用IRF640场效应管。尤其如果是国内的货源,试样也会比较方便。

高压H桥pmw马达驱动IRF640参数

    而市面上的确也是有比较好能够替代IRF640用在高压H桥PMW马达驱动中的场效应管。就是飞虹的FHP640A。这款FHP640A的主要封装形式是 TO-220 ,脚位排列位GDS。这款场效应管参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):18;BVdss(V):200。

    因为以上的参数特点,所以这一款型号是能够与IRF640场效应管型号匹配在高压H桥pmw马达驱动中使用。

IRF640参数场效应管厂家

    目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管:FHP640A,目前广泛使用的场景是高压H桥PMW马达驱动,DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,48V/60V输入逆变器前级DC-DC

    升压电路,AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路。在使用性能参数方面能够与IRF640对标使用。

    FHP640A场效应管的特点是漏极直流电流18A,漏-源电压200V,导通电阻RDS(on) =0.18Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快,低内阻。

替代IRF640型号高压MOS管

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